STB160N75F3 与 AUIRF1405ZSTRL 区别
| 型号 | STB160N75F3 | AUIRF1405ZSTRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STB160N75F3 | A-AUIRF1405ZSTRL |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 230W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 150A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4780pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 180nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 导通电阻Rds(On) | - | 4.9mΩ@75A,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4780pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 180nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 10,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 10,000 | 当前型号 | ||||
|
BUK9606-75B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 6.6mΩ@4.5V,5.5mΩ@10V,6.1mΩ@5V 300W 175°C 1.5V 75V 75A |
￥21.9934
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0 | 对比 | ||||
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AUIRF1405ZSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.9mΩ@75A,10V N-Channel 55V 150A D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3107TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3207TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF3805SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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