STB28NM60ND 与 R6020ENJTL 区别
| 型号 | STB28NM60ND | R6020ENJTL | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-STB28NM60ND | A32-R6020ENJTL-3 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 196mΩ@9.5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 40W(Tc) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 20A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1400pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,000 | 1,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STB28NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 | ||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥34.5671
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥34.5671
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥33.2829
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥28.6514
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥33.7076
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415 | 对比 |
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