STB36NM60ND 与 IPB60R099P7 区别
| 型号 | STB36NM60ND | IPB60R099P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STB36NM60ND | A-IPB60R099P7 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Ptot max | - | 117.0 W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 99mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Ciss | - | 1952.0 pF |
| Rth | - | 1.07 K/W |
| RthJA max | - | 62.0 K/W |
| Coss | - | 33.0 pF |
| 栅极电压Vgs | - | 3V,4V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| Qgd | - | 14.0 nC |
| Pin Count | - | 3.0 Pins |
| 封装/外壳 | D2PAK | D2PAK (TO-263) |
| Mounting | - | SMT |
| 连续漏极电流Id | - | 100A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| QG | - | 45.0 nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB36NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
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AOB42S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 600V 30V 37A 417W 109mΩ@10V |
暂无价格 | 9,840 | 对比 |
|
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STB34NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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|
STB34NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPB60R099P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK (TO-263) N-Channel 3V,4V 600V 100A 99mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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