STB60NF06T4 与 IRF1010ESTRLPBF 区别
| 型号 | STB60NF06T4 | IRF1010ESTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STB60NF06T4 | A-IRF1010ESTRLPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | Single HexFet 60 V 200 W 130 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12mΩ@50A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 200W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 84A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3210pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
NTB60N06T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
D²PAK |
暂无价格 | 564 | 对比 |
|
PSMN015-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 86W 175°C 3V 60V 50A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRFS3806TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 43A(Tc) ±20V 71W(Tc) 15.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 82W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.6mΩ@31A,10V N-Channel 55V 51A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFZ48NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@32A,10V N-Channel 55V 64A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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