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STB6N60M2  与  R6004ENJTL  区别

型号 STB6N60M2 R6004ENJTL
唯样编号 A3-STB6N60M2 A3-R6004ENJTL
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@1.5A,10V
上升时间 - 22ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 58W
Qg-栅极电荷 - 15nC
栅极电压Vgs - ±20V
典型关闭延迟时间 - 55ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
连续漏极电流Id - 4A
工作温度 - -55°C~150°C
系列 - SuperJunction-MOSEN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 40ns
典型接通延迟时间 - 22ns
库存与单价
库存 13,000 100
工厂交货期 5 - 7天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB6N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 13,000 当前型号
R6004ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3

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