STD6N65M2 与 FCD1300N80Z 区别
| 型号 | STD6N65M2 | FCD1300N80Z |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD6N65M2 | A-FCD1300N80Z |
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 4A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.3Ω@2A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 52W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK |
| 连续漏极电流Id | - | 4A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | SuperFET® II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 400µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 880pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 21nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 400µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 880pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 21nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 10,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD6N65M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 当前型号 |
|
FCD1300N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A(Tc) ±20V 52W(Tc) 1.3Ω@2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
FCD1300N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A(Tc) ±20V 52W(Tc) 1.3Ω@2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOD7N65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 178W 1560mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPD80R1K4P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4Ω@1.4A,10V 800V 4A TO-252 N-Channel -55°C~150°C ±20V 32W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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