STF18N60M2 与 IPA60R190C6 区别
| 型号 | STF18N60M2 | IPA60R190C6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STF18N60M2 | A-IPA60R190C6 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 170mΩ |
| 上升时间 | - | 11ns |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 34W |
| Qg-栅极电荷 | - | 63nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 110ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | - |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 20.2A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSC6 |
| 长度 | - | 10.65mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1400pF @ 100V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 630µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V |
| 高度 | - | 16.15mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 81,600 | 500 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF18N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 81,600 | 当前型号 |
|
STFH18N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 13,708 | 对比 |
|
IPA60R190C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 20.2A 170mΩ 20V 34W N-Channel |
暂无价格 | 500 | 对比 |
|
IPA60R280P7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
280mΩ 600V 12A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 3V,4V |
暂无价格 | 500 | 对比 |
|
R6015KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 60W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 150 | 对比 |
|
|
R6020JNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
暂无价格 | 80 | 对比 |
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