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STF24N60M2  与  IPAW60R190CE  区别

型号 STF24N60M2 IPAW60R190CE
唯样编号 A3-STF24N60M2 A-IPAW60R190CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@9A,10V 190mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) -
Rth - 3.7K/W
栅极电压Vgs ±25V 2.5V,3.5V
RthJA max - 80.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 32.0nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-220FP TO-220 FullPAK
Mounting - THT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 26.7A
系列 MDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
Ptot max - 34.0W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 100V -
QG - 63.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.65
库存与单价
库存 12,850 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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