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STF24N60M2  与  IPA65R190CFD  区别

型号 STF24N60M2 IPA65R190CFD
唯样编号 A3-STF24N60M2 A-IPA65R190CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@9A,10V 190mΩ
上升时间 - 8.4ns
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs ±25V 30V
封装/外壳 TO-220FP -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 17.5A
配置 - Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 6.4ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1850pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 730µA
高度 - 16.15mm
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) 34W
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 MDmesh™ II Plus CoolMOSCFD2
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
库存与单价
库存 12,850 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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