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STF26NM60N  与  TK20A60U(Q,M)  区别

型号 STF26NM60N TK20A60U(Q,M)
唯样编号 A3-STF26NM60N A-TK20A60U(Q,M)
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V 600 V
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) 45W(Tc)
产品状态 - 停产
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 190 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1470 pF @ 10 V
Vgs(th) - 5V @ 1mA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 27 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220FP TO-220SIS
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A 20A(Ta)
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 55,900 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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