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STF6N60M2  与  R8008ANX  区别

型号 STF6N60M2 R8008ANX
唯样编号 A3-STF6N60M2 A3-R8008ANX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.03Ω@4A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 50W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220FP-3 TO-220-3
连续漏极电流Id - 8A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1080pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
库存与单价
库存 10,000 500
工厂交货期 5 - 7天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF6N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 10,000 当前型号
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 500 对比
R6004ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP-3

¥11.0736 

阶梯数 价格
1: ¥11.0736
100: ¥6.4006
500: ¥4.058
500 对比
R6004ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 100 对比
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥39.7313 

阶梯数 价格
1: ¥39.7313
100: ¥22.9647
500: ¥14.5596
100 对比
AOTF4N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 对比

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