| 型号 | STF8N80K5 | R8008ANX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STF8N80K5 | A3-R8008ANX |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.03Ω@4A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 50W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 8A(Ta) |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1080pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 39nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 600 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF8N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
R6004ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 40W 900mΩ 600V 2V TO-220FP-3 -55°C~150°C N-Channel |
暂无价格 | 1,194 | 对比 | ||||||||||||
|
|
R6004ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 40W 900mΩ 600V 2V TO-220FP-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥8.3463
|
812 | 对比 | ||||||||||||
|
|
R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||||||||||
|
|
R6004ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 40W 900mΩ 600V 2V TO-220FP-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥11.0736
|
500 | 对比 | ||||||||||||
|
|
R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥39.7313
|
100 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
