STL140N6F7 与 AON6162 区别
| 型号 | STL140N6F7 | AON6162 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STL140N6F7 | A-AON6162 |
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 130 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.5mΩ@16A,10V | 2.1mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 4.8W(Ta),125W(Tc) | 215W |
| Qrr(nC) | - | 150 |
| VGS(th) | - | 3.2 |
| Qgd(nC) | - | 16 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | Power | DFN 5x6 |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 140A | 100A |
| 系列 | DeepGATE™,STripFET™ VII | - |
| Ciss(pF) | - | 4850 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2700pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 30 |
| Coss(pF) | - | 1700 |
| Qg*(nC) | - | 70* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL140N6F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),125W(Tc) 2.5mΩ@16A,10V 175°C(TJ) Power N-Channel 60V 140A |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
BSC039N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 3.9mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AON6162 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 60V 20V 100A 215W 2.1mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSC028N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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