STN3NF06L 与 ZXMN6A08GTA 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	STN3NF06L	ZXMN6A08GTA
唯样编号	A3-STN3NF06L	A36-ZXMN6A08GTA
制造商	STMicroelectronics	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述	STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223	MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
数据表	STN3NF06L.pdf	ZXMN6A08GTA.pdf ZXMN6A08G.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	100mΩ@1.5A,10V	-
漏源极电压Vds	60V	60V
Pd-功率耗散(Max)	3.3W(Tc)	2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	-	80mΩ@4.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	-	459 pF @ 40 V
栅极电压Vgs	±16V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	-	5.8 nC @ 10 V
封装/外壳	SOT-223	SOT-223-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	4A	3.8A(Ta)
系列	STripFET™ II	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.8V @ 250µA	-
驱动电压	-	4.5V,10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	340pF @ 25V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	9nC @ 5V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V	-
库存与单价
库存	4,000	0
工厂交货期	5 - 7天	3 - 15天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
STN3NF06L	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A	暂无价格	4,000	当前型号
IRLL014NTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223	暂无价格	2,500	对比
IRFL024ZTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223	暂无价格	2,500	对比
ZXMN6A09GTA	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A	暂无价格	0	对比
IRLL024NTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	65mΩ@3.1A,10V ±16V SOT-223 -55°C~150°C 3.1A 55V 2.1W N-Channel	暂无价格	0	对比
IRFL014NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	160mΩ@1.9A,10V ±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 2.7A SOT-223	暂无价格	0	对比