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STN3NF06  与  ZXMN6A08GTA  区别

型号 STN3NF06 ZXMN6A08GTA
唯样编号 A3-STN3NF06 A36-ZXMN6A08GTA
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 0.1 Ohm STripFET II Power MosFet SMT - SOT-223 MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-223 SOT-223-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.8A(Ta)
驱动电压 - 4.5V,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 80mΩ@4.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 459 pF @ 40 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.8 nC @ 10 V
库存与单价
库存 4,000 1,970
工厂交货期 5 - 7天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.299
50+ :  ¥1.76
1,000+ :  ¥1.628
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN3NF06 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 4,000 当前型号
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4

暂无价格 4,000 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 3.8A(Ta)

¥2.299 

阶梯数 价格
30: ¥2.299
50: ¥1.76
1,000: ¥1.628
1,970 对比
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4

¥1.969 

阶梯数 价格
30: ¥1.969
100: ¥1.562
1,000: ¥1.408
1,453 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

暂无价格 1 对比

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