STP100N6F7 与 IRFB7540PBF 区别
| 型号 | STP100N6F7 | IRFB7540PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP100N6F7 | A-IRFB7540PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220 | N Channel 60 V 5.1 mO 160 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5.1mΩ@65A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 160W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 110A |
| 系列 | - | HEXFET®,StrongIRFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4555pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4555pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 251,000 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP100N6F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 251,000 | 当前型号 |
|
|
STP80N6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 13,950 | 对比 |
|
IRF1407PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRFB7540PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.1mΩ@65A,10V N-Channel 60V 110A TO-220 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
IRFB3307ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 120A 4.6mΩ 20V 230W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
BUK9608-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 203W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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