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STP11N65M5  与  IPP60R600C6  区别

型号 STP11N65M5 IPP60R600C6
唯样编号 A3-STP11N65M5 A-IPP60R600C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 9A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
Qg-栅极电荷 - 20.5nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7.3A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 12ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 10,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP11N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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