STP18N60DM2 与 AOT20N60L 区别
| 型号 | STP18N60DM2 | AOT20N60L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP18N60DM2 | A-AOT20N60L |
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 370mΩ@10A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 417W |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 |
| 连续漏极电流Id | - | 20A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3680pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 74nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP18N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 |
|
FCP11N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11A(Tc) ±30V 125W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 600V 11A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOT20N60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±30V 417W 370mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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