首页 > 商品目录 > > > > STP30NF10代替型号比较

STP30NF10  与  IRF540NPBF  区别

型号 STP30NF10 IRF540NPBF
唯样编号 A3-STP30NF10 A-IRF540NPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 44mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 130W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 33A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 71nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 35,400 1,000
工厂交货期 5 - 7天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP30NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 35,400 当前型号
IRF530NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRF540NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRF540NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
PSMN013-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100PS_TO-220

¥12.2427 

阶梯数 价格
20: ¥12.2427
50: ¥10.035
0 对比
PSMN7R0-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100PS_SOT78

¥17.325 

阶梯数 价格
20: ¥17.325
50: ¥14.2008
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售