STP35N60DM2 与 IPP60R099P6XKSA1 区别
| 型号 | STP35N60DM2 | IPP60R099P6XKSA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP35N60DM2 | A-IPP60R099P6XKSA1 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 28A TO220 | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 278W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3330pF @ 100V |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4.5V @ 1.21mA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 70nC @ 10V |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 99 毫欧 @ 14.5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 37.9A(Tc) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP35N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPP60R099P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 37.9A 89mΩ 20V 278W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPP60R099P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 N-Channel 117W 99mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C ±20V 600V 31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-220-3 -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FCP104N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FCP125N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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