STP60NF06 与 IRF1010EPBF 区别
| 型号 | STP60NF06 | IRF1010EPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP60NF06 | A-IRF1010EPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 200W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 84A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3210pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 12mΩ@50A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20,450 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP60NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 20,450 | 当前型号 | ||||
|
PSMN015-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 14.8mΩ@10V 86W 175°C 3V 60V 50A |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||
|
|
PSMN7R6-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 7.8mΩ@10V 149W 175°C 3V 60V 92A |
￥13.3605
|
0 | 对比 | ||||
|
IRFZ48VPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@43A,10V N-Channel 60V 72A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
IRF1010EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 3mΩ@10V 306W 175°C 3V 60V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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