STP80NF55-08 与 IRFB7746PBF 区别
| 型号 | STP80NF55-08 | IRFB7746PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP80NF55-08 | A-IRFB7746PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB | Single N-Ch 75 V 59 A 10.6 mOhm 55 nC Flange Mount HEXFET Mosfet - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 10.6mΩ@35A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 99W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 59A |
| 系列 | - | StrongIRFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3049pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 83nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3049pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 83nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 115,900 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 115,900 | 当前型号 |
|
IRFB7746PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10.6mΩ@35A,10V N-Channel 75V 59A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRF1018EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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