SUD19P06-60-GE3 与 TJ15S06M3L(T6L1,NQ 区别
| 型号 | SUD19P06-60-GE3 | TJ15S06M3L(T6L1,NQ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SUD19P06-60-GE3 | A33-TJ15S06M3L(T6L1,NQ | ||||||||||||
| 制造商 | Vishay | Toshiba | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 10A,10V | - | ||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60 V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) | 41W(Tc) | ||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 50 毫欧 @ 7.5A,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1770 pF @ 10 V | ||||||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | 3V @ 1mA | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 36 nC @ 10 V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK+ | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 18.3A(Tc) | 15A(Ta) | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 175°C(TJ) | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | +10V,-20V | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 12,000 | 2,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
￥3.19
|
7,289 | 对比 | ||||||||||||||
|
TJ15S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 41W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 15A(Ta) |
￥6.2478
|
2,000 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
￥2.4888
|
0 | 对比 | ||||||||||||||
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
暂无价格 | 127,500 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
