SUD23N06-31-GE3 与 RSD221N06TL 区别
| 型号 | SUD23N06-31-GE3 | RSD221N06TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SUD23N06-31-GE3 | A-RSD221N06TL |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 0.031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 850mW(Ta),20W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31 mOhms @ 15A,10V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 5.7W(Ta),31.25W(Tc) | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1500pF @ 10V |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-252 | CPT3 |
| 连续漏极电流Id | 21.4A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 26 毫欧 @ 22A,10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 22A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 30nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SUD23N06-31-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 42,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
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6,068 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
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1,300 | 对比 | ||||||||||||||||
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STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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