NDS331N 与 RUF015N02TL 区别
| 型号 | NDS331N | RUF015N02TL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-NDS331N-2 | A33-RUF015N02TL-3 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23 | RUF015N02 Series N-Channel 20 V 180 mOhm MosFet Surface Mount - TUMT-3 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | 4/5W | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 180mΩ@1.5A,4.5V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±10V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TUMT | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.3A(Ta) | 1.5A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 162pF @ 10V | 110pF @ 10V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 4.5V | 2.5nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V | 1.8V,4.5V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 162pF @ 10V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 4.5V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 48,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RUF015N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 180mΩ@1.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥2.5586
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48,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RUF015N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 180mΩ@1.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥2.5586
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48,000 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 625mW(Ta) 180mΩ@930mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 1.7A |
￥1.375
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37,050 | 对比 | ||||||||||||||
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RUF015N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 180mΩ@1.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
￥2.5586
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30,750 | 对比 | ||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.0057
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27,000 | 对比 |
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