| 型号 | QH8MA3TCR | QS8M13TCR | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-QH8MA3TCR | A33-QS8M13TCR | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.5W | 1.5W | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT8 | TSMT | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A,5.5A | 6A/5A | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 390pF @ 10V | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.5nC @ 5V | ||||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 29mΩ@7A,10V | 28mΩ@6A,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.2nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,600 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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QH8MA3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V |
￥4.4182
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1,600 | 当前型号 | ||||||||||||||
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QS8M13TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
28mΩ@6A,10V 1.5W 150°C(TJ) TSMT N+P-Channel 30V 6A/5A |
￥4.9925
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3,000 | 对比 |
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