QS6K1TR 与 SI3932DV-T1-GE3 区别
| 型号 | QS6K1TR | SI3932DV-T1-GE3 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-QS6K1TR-4 | A-SI3932DV-T1-GE3 | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT | TSOP-6 | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1A | 3.7A | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 238mΩ@1A,4.5V | 47mΩ | ||||||||||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | 2.2V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 77pF @ 10V | 235pF @ 15V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.4W | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC @ 4.5V | 6nC @ 10V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 9,703 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥2.894
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9,703 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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