R6024ENZ4C13 与 R6024ENZ1C9 区别
| 型号 | R6024ENZ4C13 | R6024ENZ1C9 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-R6024ENZ4C13 | A33-R6024ENZ1C9 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Nch 600V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 120W(Tc) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 24A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1650pF @ 25V | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 165mΩ@11.3A,10V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 70nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 600 | 30 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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R6024ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
￥62.7799
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600 | 当前型号 | ||||||||||
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R6024ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 120W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥17.3059
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30 | 对比 |
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