R6047ENZ4C13 与 R6047ENZ1C9 区别
| 型号 | R6047ENZ4C13 | R6047ENZ1C9 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-R6047ENZ4C13 | A-R6047ENZ1C9 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 120W(Tc) | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 481W(Tc) | - | ||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3850pF @ 25V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247 | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 47A | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3850pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 72 毫欧 @ 25.8A,10V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 145nC @ 10V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 47A(Tc) | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 72mΩ@25.8A,10V | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 145nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 600 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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R6047ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
￥100.1912
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600 | 当前型号 | ||||||||||
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R6047ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 72mΩ@25.8A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 47A |
暂无价格 | 470 | 对比 | ||||||||||
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R6047ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 72mΩ@25.8A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 47A |
￥39.999
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0 | 对比 |
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