R6050JNZ4C13 与 R6047MNZ1C9 区别
| 型号 | R6050JNZ4C13 | R6047MNZ1C9 | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-R6050JNZ4C13-2 | A33-R6047MNZ1C9 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 50A TO247G | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 615W(Tc) | - | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 4500pF @ 100V | - | ||||||||
| FET类型 | N 通道 | - | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-247G | - | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 7V @ 5mA | - | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 83 毫欧 @ 25A,15V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 15V | - | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 50A(Tc) | - | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 120nC @ 15V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 600 | 4 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6050JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥86.3669
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600 | 当前型号 | ||||||||
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R6047MNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥49.3686
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4 | 对比 | |||||||||
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R6046FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
￥64.48
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3 | 对比 |
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