R6076ENZ4C13 与 R6076ENZ1C9 区别
| 型号 | R6076ENZ4C13 | R6076ENZ1C9 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-R6076ENZ4C13 | A33-R6076ENZ1C9 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 76A TO247 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 120W(Tc) | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 735W(Tc) | - | ||||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6500pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247 | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 76A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6500pF @ 25V | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 42 毫欧 @ 44.4A,10V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 260nC @ 10V | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 76A(Tc) | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 42mΩ@44.4A,10V | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 260nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 600 | 45 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6076ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
￥168.6005
|
600 | 当前型号 | ||||||||||
|
R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥179.0578
|
450 | 对比 | ||||||||||
|
|
R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
暂无价格 | 90 | 对比 | ||||||||||
|
|
R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥54.2364
|
45 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
