RE1J002YNTCL 与 RUE002N05TL 区别
| 型号 | RE1J002YNTCL | RUE002N05TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RE1J002YNTCL | A-RUE002N05TL |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 150mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.2Ω@200mA,4.5V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 50V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 25pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | EMTF | EMT3 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 0.2A | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 1mA |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 800mV @ 1mA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 26pF @ 10V | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 0.9V,4.5V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.2V,4.5V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 200mA(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 50V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RE1J002YNTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±8V 150mW 2.2Ω@200mA,4.5V 150°C(TJ) EMTF N-Channel 50V 0.2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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RUE002N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 EMT3 |
暂无价格 | 14 | 对比 |
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RUE002N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 EMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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