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RF4E080GNTR  与  DMG4800LFG-7  区别

型号 RF4E080GNTR DMG4800LFG-7
唯样编号 A32-RF4E080GNTR A36-DMG4800LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W 940mW(Ta)
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Qg-栅极电荷 5.8nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 17mΩ@9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 798 pF @ 10 V
栅极电压Vgs 2.5V ±25V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 5S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.47 nC @ 5 V
封装/外壳 DFN2020-8 U-DFN3030-8
连续漏极电流Id 8A 7.44A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
导通电阻Rds(On) 17.6mΩ -
库存与单价
库存 3,100 6,000
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
10+ :  ¥4.0618
100+ :  ¥2.4229
500+ :  ¥2.1378
1,000+ :  ¥1.9241
3,000+ :  ¥1.6389
30+ :  ¥1.677
100+ :  ¥1.339
750+ :  ¥1.1908
1,500+ :  ¥1.1232
3,000+ :  ¥1.0647
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.0618 

阶梯数 价格
10: ¥4.0618
100: ¥2.4229
500: ¥2.1378
1,000: ¥1.9241
3,000: ¥1.6389
3,100 当前型号
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 940mW(Ta) ±25V U-DFN3030-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 7.44A(Ta)

¥1.677 

阶梯数 价格
30: ¥1.677
100: ¥1.339
750: ¥1.1908
1,500: ¥1.1232
3,000: ¥1.0647
6,000 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规

暂无价格 2 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规

暂无价格 1 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

SOT833

暂无价格 0 对比
BUK6D72-30EX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 N-Channel 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规

暂无价格 80 对比

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