RQ3E080GNTB 与 AON7410 区别
| 型号 | RQ3E080GNTB | AON7410 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RQ3E080GNTB | A-AON7410 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 20W | ||||||||||
| 上升时间 | 3.6ns | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 5.8nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 17.3ns | - | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 7S | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | DFN 3x3 EP | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 24A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 下降时间 | 2.4ns | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 6.9ns | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 16.7mΩ@8A,10V | 20mΩ@8A,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,100 | 10 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E080GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.6319
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3,100 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥0.6354
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9,293 | 对比 | ||||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥1.378
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5,927 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥0.646
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691 | 对比 | ||||||||||||
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AON7410 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 10 | 对比 |
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