RQ3E180AJTB1 与 RQ3E180AJTB 区别
| 型号 | RQ3E180AJTB1 | RQ3E180AJTB | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RQ3E180AJTB1-1 | A33-RQ3E180AJTB-1 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 2W(Ta),30W(Tc) | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | 8-PowerVDFN | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 18A(Ta),30A(Tc) | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 2.5V,4.5V | ||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 1.5V @ 11mA | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4290pF @ 15V | ||||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 4.5mΩ@18A,4.5V | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 39nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,795 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
¥7.4111
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3,000 | 当前型号 | |||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
¥1.86
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
¥5.232
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2,795 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
¥2.6442
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0 | 对比 |