RQ6E055BNTCR 与 SI3424CDV-T1-GE3 区别
| 型号 | RQ6E055BNTCR | SI3424CDV-T1-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A32-RQ6E055BNTCR | A-SI3424CDV-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Si3424CDV Series 30 V 26 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TSOP-6 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1.25W(Ta) | 3.6W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | TSOT-23-6 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 5.5A(Ta) | 8A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 355pF @ 15V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 25mΩ@5.5A,10V | 26 mOhms @ 7.2A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.6nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,300 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RQ6E055BNTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 5.5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 25mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.5679
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1,300 | 当前型号 | ||||||||
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SI3424CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 7.2A,10V 3.6W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 60,000 | 对比 | ||||||||
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SI3424CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 7.2A,10V 3.6W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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