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RS1E150GNTB  与  IRFH7921TRPBF  区别

型号 RS1E150GNTB IRFH7921TRPBF
唯样编号 A32-RS1E150GNTB A-IRFH7921TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 8.5 mO 14 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3W(Ta),22.9W(Tc) 3.1W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(5x6)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A(Ta) 15A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1210pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 590pF @ 15V 1210pF @ 15V
导通电阻Rds(On) 8.8mΩ@15A,10V 8.5mΩ@15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V 14nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥10.4751
100+ :  ¥6.1998
500+ :  ¥5.5582
1,000+ :  ¥5.0596
2,500+ :  ¥4.2044
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),22.9W(Tc) 8.8mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 15A(Ta)

¥10.4751 

阶梯数 价格
10: ¥10.4751
100: ¥6.1998
500: ¥5.5582
1,000: ¥5.0596
2,500: ¥4.2044
2,500 当前型号
IRFH7914TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 15A PQFN(5x6)

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IRFH7921TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A PQFN(5x6)

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AON6428 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 43A 30W 10mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.985 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.985
0 对比
IRFH8334TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 14A(Ta),44A(Tc) ±20V 3.2W(Ta),30W(Tc) 9mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

暂无价格 0 对比

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