RS1E170GNTB 与 IRFHM8330TRPBF 区别
| 型号 | RS1E170GNTB | IRFHM8330TRPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS1E170GNTB-1 | A-IRFHM8330TRPBF | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 6.6 mO 9.3 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 上升时间 | 4.8ns | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 12nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V | ±20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 13S | - | ||||||||
| 封装/外壳 | HSOP-8 | 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 17A | 16A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | 3.7ns | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 6.7mΩ | 6.6mΩ@20A,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1450pF @ 25V | ||||||||
| 功率耗散Pd | 3W | 2.7W(Ta),33W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 27ns | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1450pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,600 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS1E170GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.7722
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2,600 | 当前型号 | ||||||||||
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IRFHM8330TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.7W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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