RS1L151ATTB1 与 NVMFS5113PLT1G 区别
| 型号 | RS1L151ATTB1 | NVMFS5113PLT1G | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS1L151ATTB1-1 | A36-NVMFS5113PLT1G | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF | MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 3W(Ta) | - | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6900 pF @ 30 V | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 130 nC @ 10 V | - | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 11.3 毫欧 @ 15A,10V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 56A(Tc) | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 60 V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,490 | 53 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RS1L151ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥12.6844
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2,490 | 当前型号 | ||||||||
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥13.908
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53 | 对比 | ||||||||
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NTMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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NVMFS5113PLWFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NDS9407 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 150m Ohms@3A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
