RS6G100BGTB1 与 SIJA72ADP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6G100BGTB1 | SIJA72ADP-T1-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS6G100BGTB1 | A-SIJA72ADP-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PowerPAK® SO-8 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 59W | 4.8W(Ta),56.8W(Tc) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 27.9A(Ta),96A(Tc) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 3.4mΩ@90A,10V | 3.42 mOhms @ 10A,10V | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 40 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥14.3945
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥3.3252
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82 | 对比 | ||||||||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V SOT1205 |
暂无价格 | 52 | 对比 | ||||||||||||
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SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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