RS6G120BGTB1 与 NTMFS5C430NLT1G 区别
| 型号 | RS6G120BGTB1 | NTMFS5C430NLT1G | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS6G120BGTB1-6 | A36-NTMFS5C430NLT1G | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | DFN5(5x6) | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | 110W | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 120A | 200A | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 1.34mΩ@90A,10V | 1.4mΩ@50A,10V | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 1,934 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥24.5132
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 | ||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
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NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
￥2.497
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1,934 | 对比 | ||||||||||||
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NTMFS5C442NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
￥2.1692
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1,500 | 对比 |
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