RS6L090BGTB1 与 SI4850BDY-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6L090BGTB1 | SI4850BDY-T1-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RS6L090BGTB1 | A-SI4850BDY-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 73W | 2.5W(Ta),4.5W(Tc) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 90A | 8.4A(Ta),11.3A(Tc) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 4.7mΩ@90A,10V | 19.5 mOhms @ 10A,10V | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.8V @ 250uA | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 40 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥17.245
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥3.796
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197 | 对比 | ||||||||||||
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SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 22.3W 7.2mΩ@10A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 39.3A SOT1205 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
￥5.278
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69 | 对比 | ||||||||||||
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SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||||
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SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 |
暂无价格 | 20 | 对比 |
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