RTQ035N03TR 与 ZXMN3A03E6TA 区别
| 型号 | RTQ035N03TR | ZXMN3A03E6TA | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RTQ035N03TR | A36-ZXMN3A03E6TA | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | RTQ035N03 Series 30 V 54 mOhm 3.5 A 2.5 V Drive N-Channel Mosfet - TSMT6 | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.25W(Ta) | 1.1W(Ta) | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@7.8A,10V | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 600 pF @ 25 V | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 12V | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 12.6 nC @ 10 V | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT | SOT-23-6 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.5A | 3.7A(Ta) | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 285pF @ 10V | - | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.4nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 54m Ohms@3.5A,4.5V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 15,000 | 5,007 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥1.1
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15,000 | 当前型号 | |||||||||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A |
￥0.652
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8,219 | 对比 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥1.1382
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5,986 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.7A(Ta) |
￥1.8122
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5,007 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3051LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V SOT-26 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.544
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4,557 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3051LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V SOT-26 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.9227
|
3,000 | 对比 |
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