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RUF015N02TL  与  SI1308EDL-T1-GE3  区别

型号 RUF015N02TL SI1308EDL-T1-GE3
唯样编号 A32-RUF015N02TL A3-SI1308EDL-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 RUF015N02 Series N-Channel 20 V 180 mOhm MosFet Surface Mount - TUMT-3 Single N-Channel 30 V 0.4 W 4.1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 400mW(Ta),500mW(Tc)
功率 4/5W -
漏源极电压Vds 20V -
栅极电压Vgs ±10V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TUMT SOT-323-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.5A 1.5A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V 105pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V 4.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,10V
导通电阻Rds(On) 180mΩ@1.5A,4.5V 132mΩ
库存与单价
库存 6,000 9,000
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
10+ :  ¥6.8411
100+ :  ¥3.9907
500+ :  ¥3.6342
1,000+ :  ¥3.2779
3,000+ :  ¥2.708
6,000+ :  ¥2.4943
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RUF015N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 180mΩ@1.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A

¥6.8411 

阶梯数 价格
10: ¥6.8411
100: ¥3.9907
500: ¥3.6342
1,000: ¥3.2779
3,000: ¥2.708
6,000: ¥2.4943
6,000 当前型号
SI1308EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±12V 400mW(Ta),500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 N-Channel 1.5A 132mΩ

暂无价格 9,000 对比
SI1308EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±12V 400mW(Ta),500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 N-Channel 1.5A 132mΩ

暂无价格 0 对比
SI1308EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±12V 400mW(Ta),500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 N-Channel 1.5A 132mΩ

暂无价格 0 对比

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