UT6JA2TCR 与 IRFHS9301TRPBF 区别
| 型号 | UT6JA2TCR | IRFHS9301TRPBF | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UT6JA2TCR-3 | A-IRFHS9301TRPBF | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 30 V 65 mOhm 6.9 nC 2.1 W Silicon SMT Mosfet - PQFN 2 x 2 mm | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70mΩ@4A,10V | 37mΩ@7.8A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2.1W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||||||
| FET类型 | 2P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HUML2020L8 | 6-PQFN(2x2) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | 6A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 25µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 580pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 2.4V @ 25µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 305pF @ 15V | 580pF @ 25V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.7nC @ 10V | 13nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,100 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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UT6JA2TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2P-Channel 30V 4A 70mΩ@4A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) HUML2020L8 |
￥4.1119
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3,100 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRFHS9301TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 37mΩ@7.8A,10V P-Channel 30V 6A 6-PQFN(2x2) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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