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IRFR9024PBF  与  SPD08P06PGBTMA1  区别

型号 IRFR9024PBF SPD08P06PGBTMA1
唯样编号 A33-IRFR9024PBF-1 A-SPD08P06PGBTMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 42W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 420pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 DPAK TO-252-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.8A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 300 毫欧 @ 10A,6.2V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6.2V
导通电阻Rds(On) 280mΩ@5.3A,10V -
零件状态 在售 -
类别 分立半导体产品 -
功率耗散Pd 2.5W(Ta),42W(Tc) -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 25V -
小类别 晶体管 - FET,MOSFET - 单 -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8.83A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 28 - 35天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥7.5797
50+ :  ¥5.8549
100+ :  ¥5.2512
300+ :  ¥4.8487
500+ :  ¥4.7721
1,000+ :  ¥4.705
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9024PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 280mΩ@5.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 8.8A

¥7.5797 

阶梯数 价格
20: ¥7.5797
50: ¥5.8549
100: ¥5.2512
300: ¥4.8487
500: ¥4.7721
1,000: ¥4.705
3,000 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.664 

阶梯数 价格
40: ¥1.664
100: ¥1.2753
1,250: ¥1.1089
2,500: ¥1.0465
24,225 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

暂无价格 16 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥2.256 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.256
0 对比
IRFR9024NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) 175mΩ@6.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
SPD08P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

P 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-252-3

暂无价格 0 对比

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