| 型号 | QH8MA3TCR | QS8M13TCR | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-QH8MA3TCR | A33-QS8M13TCR | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ@7A,10V | 28mΩ@6A,10V | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W | 1.5W | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT8 | TSMT | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A,5.5A | 6A/5A | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 390pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.5nC @ 5V | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.2nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,759 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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QH8MA3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 7A,5.5A 29mΩ@7A,10V 1.5W -55°C~150°C TSMT8 N+P-Channel ±20V |
￥2.9035
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2,759 | 当前型号 | ||||||||||||||
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QS8M13TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
28mΩ@6A,10V 1.5W 150°C(TJ) TSMT N+P-Channel 30V 6A/5A |
￥6.5161
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3,000 | 对比 |
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