R6004ENJTL 与 STB6N60M2 区别
| 型号 | R6004ENJTL | STB6N60M2 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6004ENJTL-2 | A36-STB6N60M2 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 58W | - | ||||||||||||||||
| 上升时间 | 22ns | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 15nC | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 55ns | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | - | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||||
| 系列 | SuperJunction-MOSEN | - | ||||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||||
| 下降时间 | 40ns | - | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 22ns | - | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 900mΩ@1.5A,10V | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 1,000 | 898 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥8.0972
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1,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥6.264
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980 | 对比 | ||||||||||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
￥4.692
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898 | 对比 | ||||||||||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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