R6004KNJTL 与 STB6NK60ZT4 区别
| 型号 | R6004KNJTL | STB6NK60ZT4 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6004KNJTL | A3-STB6NK60ZT4 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||
| 连续漏极电流Id | 4A(Tc) | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 980mΩ@1.5A,10V | - | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 58W(Tc) | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.2nC @ 10V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 40 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥4.6475
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40 | 当前型号 | ||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 13,000 | 对比 | ||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FQB8N60CTM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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