R6007END3TL1 与 R6002ENDTL 区别
| 型号 | R6007END3TL1 | R6002ENDTL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6007END3TL1 | A-R6002ENDTL | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 78W(Tc) | - | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 620mOhms@2.4A,10V | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 65pF @ 25V | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 4V@1mA | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT3 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A(Tc) | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 3.4 欧姆 @ 500mA,10V | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 20nC@10V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 1.7A(Tc) | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 6.5nC @ 10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,430 | 0 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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R6007END3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 4V@1mA 78W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 600V |
￥12.5051
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2,430 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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R6002ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 46 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6002ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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